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美國RIDGELUX技術再獲突破性進展

16 八月

LED照明技術及解決方案研發與製造領導廠商Bridgelux公司刷新自己創下在業界「氮化鎵上矽」技術(GaN-on-Si)最高每瓦流明紀錄。該公司利用獨家緩衝層技術,成功在8吋矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層,並且不會在室溫下彎曲變形,進一步擴大該公司提升矽基板氮化鎵LED效能與可製造性的領先幅度。

Bridgelux公司證明其LED效能足以媲美現今的頂尖藍寶石基板LED。冷白光LED的效能高達160 Lm/W,其相對色溫CCT 為4350K。以氮化鎵上矽晶圓製作的暖白光LED可提供125 Lm/W的效能,色溫為2940K,演色性指數(CRT)則是80。

傳統LED是以藍寶石或碳化矽基板作為原料,兩者都比矽基板昂貴許多。因此,製作成本導致LED照明產品無法普及到住宅與商業建築。然而在直徑更大、成本低廉的矽晶圓上長成氮化鎵,並採用與現代半導體生產線相容的製程,其成本會比現有製程減少75%。Brid elux的技術發展具備大幅降低LED製造成本的潛力,使其得以與傳統白光照明技術競爭。

【2011/08/15 經濟日報】@ http://udn.com/

全文網址: 美國RIDGELUX技術再獲突破性進展 | 財經 | 即時新聞 | 聯合新聞網 http://udn.com/NEWS/BREAKINGNEWS/BREAKINGNEWS6/6527557.shtml#ixzz1VAaN6ltz
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