RSS

IMEC推動GaN-on-Si技術

26 七月

比利時IMEC宣佈著手推動一項產業聯合計劃(Industrial Affiliation Program),目標是藉由使用大直徑的矽基板氮化鎵(GaN-on-Si),以及矽在規模經濟下的低成本,以尋求降低氮化鎵技術的成本,讓其在功率轉換和固態照明應用上得以迅速普及。


產業聯合計劃的第一個任務是在大直徑的矽基板氮化鎵上,致力發展高電壓、低損失、高功率切換的裝置。潛在應用市場包含:在太陽能轉換器內之高功率切換、馬達驅動器、混合電汽車或切換模式的電源供應器。

傳統高電壓功率裝置是採用矽MOSEFT架構。然而,多數應用在材料上已經達到極限。由於優越傳輸特質與高電場的營運能力,一旦採用氮化鎵將能夠克服這些限制。目前在市面上,有少數的氮化鎵裝置是基於AlGaN/GaN高電子移動性電晶體(high-electron mobility transistor;HEMT)與有電流裝置,例如在無線通訊的RF應用。透過這個計畫,可開發無電流、高電壓與低電阻的下一代功率電子零組件。

另一項任務是,藉由開發矽基板氮化鎵(GaN-on-Si),發展出高效率高功率的白光LED,關鍵點是強化外部及內部量子效率以及能使高電流運作。

在功率電子與光學領域要面對的第一個挑戰就是成本的降低。

IMEC認為,採用大直徑的矽晶片(基本構思是從100mm到150mm,再增加至200mm)與CMOS相容製程結合在一起,可創造出具經濟性價值的解決方案。

此外,IMEC認為,III族氮化物在廣泛的可見光與紫外光譜之內,具備卓越的發光特性。然而,如果要讓LED照明被廣泛的接受,且新型的製造技術可量產開發之下,必須讓光的效率達到150lm/W。

可是以現在業界的技術來說,很少有廠商能夠在大直徑的矽晶圓上處理氮化鎵。最近,IMEC與AIXTRON合作在200mm的矽晶圓上讓氮化鎵無裂痕上成長。在產業聯合計劃之下,期待可以在IMEC已經對氮化鎵的10年經驗下,開發出高效率、大功率白光LED。

為了早一點達到IMEC的理想,預計還要邀請整合設備製造商、化合物半導體廠商加入這個產業聯合計劃,在共享IMEC的在氮化鎵的技術、經驗、IP之下,讓高效率、大功率白光LED早日到來。(760字)

關鍵字:發光二極體(LED)、氮化鎵(GaN)

(科技產業資訊室–Kyle編撰,2009/07/27)http://cdnet.stpi.org.tw/techroom/market/eedisplay/2009/eedisplay_09_048.htm

廣告
 
發表留言

Posted by 於 2011/07/26 in 產業資訊

 

發表迴響

在下方填入你的資料或按右方圖示以社群網站登入:

WordPress.com Logo

您的留言將使用 WordPress.com 帳號。 登出 / 變更 )

Twitter picture

您的留言將使用 Twitter 帳號。 登出 / 變更 )

Facebook照片

您的留言將使用 Facebook 帳號。 登出 / 變更 )

Google+ photo

您的留言將使用 Google+ 帳號。 登出 / 變更 )

連結到 %s

 
%d 位部落客按了讚: